[发明专利]DRAM的操作方法有效
| 申请号： | 202010445738.4 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111640461B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈志远;陈辉煌;吴巍 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4074;G11C11/408 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DRAM的操作方法，被操作的DRAM的每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向同一个所述存储阵列片中的被选中的第二栅极施加第二电压，向同一个所述存储阵列片中的未被选中的第二栅极施加第三电压，且第一电压、第二电压和第三电压均不相同，由此可以减少栅极引发漏极漏电流以及衬底漏电流，继而改善栅极引发漏极漏电流现象影响读写操作效能的问题，进而提高DRAM的读写操作效能。 | ||
| 搜索关键词： | dram 操作方法 | ||
【主权项】：
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