[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010440020.6 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112240990A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 中川翔 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/54 | 分类号： | G01R31/54;G01R31/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，使微型计算机能够将IPS的GND端子的开路与负载开路相区别地识别。接地端子开路检测电路将MOSFET的栅极端子连接于IPS的GND端子并且利用恒流电路进行上拉。将齐纳二极管与MOSFET并联连接，在MOSFET和齐纳二极管的并联电路与电压VCC的线之间连接恒流电路。在GND端子未开路的正常情况下，MOSFET被关断控制，齐纳二极管的击穿电压(H电平)被输出到ST2端子与GND2端子之间。在GND端子开路的情况下，MOSFET被导通控制，L电平的信号作为GND端子开路检测信号而被输出到ST2端子与GND2端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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