[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010436890.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111769190B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;黄磊;张威;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反射电极、连接电极、绝缘介质层、P型焊盘和N型焊盘；所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括多个周期的复合层和层叠在所述复合层上的焊接层，每个周期的所述复合层包括Ti层和层叠在所述Ti层上的Al层，所述焊接层为AuSn合金层，所述焊接层中Au组分的含量为64％～68％。本公开通过在多个由Ti层和层叠在Ti层上的Al层组成的复合层上增设焊接层形成N型焊盘和P型焊盘可以在不损坏芯片的情况下采用N型焊盘和P型焊盘进行焊接，避免由于焊接材料越过焊接区域而导致漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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