[发明专利]二极管高压硅堆的清洗封装方法在审
| 申请号： | 202010434697.9 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111739798A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王志敏;黄丽凤;张英宏 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 崔立青;王玉梅 |
| 地址： | 226578 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了二极管高压硅堆的清洗封装方法，该二极管高压硅堆的清洗封装方法包括以下几个步骤：选取若干个的硅高频二极管的管心，分向二极管管心预焊盘装填，把正极朝上的分向二极管管心放入预焊用石墨焊接板，使其在预焊用石墨焊接板孔内全部负极朝上，焊片预焊盘装填，负极朝上的整流二极管管心上面再装填一层焊片；选用N‑型单晶硅片，采用纯水清洗，硅片清洗后甩干，该二极管高压硅堆的清洗封装方法，该高压硅堆在加工时，分别采用不同的工艺流程对其零件进行处理，能够使得高压硅堆的高频耐压得到显著提升，且该高压硅堆体积小、重量轻、机械强度高、使用简便和无辐射，使得工作电压达到10‑12万伏之间，具有优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 高压 清洗 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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