[发明专利]导电层图案化的方法及导电结构有效
| 申请号： | 202010429311.5 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111554633B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 范佳铭 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一方面提供一种导电层图案化的方法。该方法包括：于一基材的表面形成导电层，所述导电层的接触角大于等于50度小于等于90度；于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；以及利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆盖的部分，进而得到图案化的导电层。本发明另一方面还提供一种导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 图案 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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