[发明专利]刻蚀气体导入机构和蚀刻机在审
| 申请号： | 202010428120.7 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111599719A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李子然 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种蚀刻机和刻蚀气体导入机构，蚀刻机包括第一电极板，第一电极板包括第一区域、围绕第一区域设置的第二区域，第一电极板设置有气孔、气道，气道包括主干、分支，主干设置有流量控制阀，分支与气孔连接，其中，第一区域的第一主干的流量大于第二区域的第二主干的流量；将第一电极板分为若干区域，通过不同的流量控制阀控制不同区域的对应主干的流量，使各区域流量相同。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 气体 导入 机构 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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