[发明专利]基于吡嗪稠环半导体的水系铵离子电池电极有效
申请号: | 202010418812.3 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111599978B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 林宗琼;翁洁娜;霍峰蔚;刘玉琴;黄维;史兆鑫;席乔 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01M4/02 | 分类号: | H01M4/02;H01M4/60;H01M10/36;H01M10/48 |
代理公司: | 西安匠星互智知识产权代理有限公司 61291 | 代理人: | 屠沛 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明涉及一种基于吡嗪稠环半导体的水系铵离子电池电极,利用铵离子与吡嗪稠环半导体中芳香氮原子的配位作用,以具有多离子存储位点的吡嗪稠环半导体作为铵离子存储材料,提高水系可充电铵离子电池的比容量。本发明首次制备了在50mAg |
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搜索关键词: | 基于 吡嗪稠环 半导体 水系 离子 电池 电极 | ||
【主权项】:
暂无信息
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