[发明专利]一种高集成密度半浮栅存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010400578.1 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111564443B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体涉及一种低高集成密度半浮栅存储器及其制备方法。本发明高集成密度半浮栅存储器采用双U型槽结构，分别形成浮栅晶体管和隧穿晶体管的沟道区域。该设计能够同时削弱浮栅晶体管和隧穿晶体管的短沟道效应，从而有利于存储器尺寸的不断缩小，进一步可以增大集成密度。同时，在浮栅晶体管的U型槽侧壁直接形成开口，使得浮栅可以直接与隧穿晶体管的沟道接触，有利于进一步增加集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 密度 半浮栅 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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