[发明专利]一种钴钽锆靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202010330861.1 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111424245B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡新志;童培云;朱刘;何坤鹏;黄宇彬;邓瑞;钟振宇 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/02;C22C19/07 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种钴钽锆靶材的制备方法，包括以下步骤：按照靶材所需的配比称量Co、Zr和Ta原材料，将原材料装入磁悬浮感应熔炼炉的水冷坩埚内，得到混合物料；将混合物料进行熔炼后得到合金锭；将合金锭进行精炼后得到合金熔体；将合金熔体进行浇铸后得到铸锭；将铸锭进行热轧后得到靶坯；将靶坯进行机加工后得到靶材。本发明提供的一种钴钽锆靶材的制备方法，通过结合熔炼、精炼两种不同的方式制备钴钽锆合金靶材，能有效解决现有技术制备钴钽锆合金靶材纯度底、晶粒大小分布不均且工艺复杂的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钴钽锆靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
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