[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010250786.8 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111326416B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 戴鸿冉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L27/11521;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次堆叠有控制栅层和浮栅层以及贯穿所述控制栅层和所述浮栅层的第一字线和第二字线。所述第一字线位于逻辑区，所述第二字线位于存储单元区。刻蚀第一厚度的第一字线；刻蚀所述逻辑区中的浮栅层和第二厚度的第一字线，以暴露所述逻辑区中的控制栅层；刻蚀所述逻辑区中的控制栅层和第三厚度的第一字线，以去除所述逻辑区中的控制栅层。因此，在逻辑区刻蚀中，通过先刻蚀第一厚度的第一字线，再同步刻蚀第一字线和浮栅层、控制栅层的同步刻蚀，避免了因第一字线刻蚀速率低而产生刻蚀残留。故所述刻蚀方法能够解决因刻蚀选择比而产生刻蚀残留的问题，保障工艺效果，节约工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
