[发明专利]一种制备4H碳化硅单晶的方法在审
| 申请号： | 202010230813.5 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111270304A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种制备4H碳化硅单晶的方法，以碳化硅粉料作为原料，采用物理气相传输法制备碳化硅单晶，在所述碳化硅粉料中添加有含有稀土元素的稀土物质。本发明提供的制备4H碳化硅单晶的方法，通过在制备碳化硅单晶的原料碳化硅粉料中添加稀土物质，可以100％稳定生长4H‑SiC晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
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