[发明专利]一种单晶硅片清洗方法在审
| 申请号： | 202010195912.4 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111613519A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 魏泽武;王艺澄;王友 | 申请（专利权）人： | 江苏高照新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 艾中兰;任立 |
| 地址： | 212200 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶硅片清洗方法，采用碱液混合液和双氧水等进行清洗，通过预清洗起到对硅片表面较大杂质残留的基本去除；通过多次碱洗，采用超声波+清洗剂的方式对硅片表面的颗粒杂质、金属离子、硅粉残留进行去除，再通过一次漂洗初步去除清洗剂残留，减少其对后面双氧水的影响；然后利用双氧水去除硅片表面有机物的残留；最后通过多次溢流漂洗去除前面药洗、双氧水、碱、以及硅粉的残留。本发明清洗方法通过对清洗液温度和浓度进行控制，能有效减少单晶脏污产生率，同时不影响后道工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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