[发明专利]一种基于钙钛矿材料掺杂结构的双功能器件及其制备方法在审
申请号: | 202010195831.4 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111430558A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 周殿力;吴梦鸽;杨根杰;于军胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/42;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 沈颖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于钙钛矿材料掺杂结构的双功能器件,涉及光电子技术领域,所述双功能器件包括自下而上依次设置的基板,阳极,具有掺杂结构的钙钛矿活性层,电子传输层和阴极层,所述的具有掺杂结构的钙钛矿活性层由MAPbBr |
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搜索关键词: | 一种 基于 钙钛矿 材料 掺杂 结构 功能 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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