[发明专利]一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010193567.0 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341509A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张琦;蔡东谋;简高柏 | 申请（专利权）人： | 国巨电子（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/024;H01C1/032;H01C1/034;H01C17/065;H01C17/28 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨瑞玲 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法，所述抗硫化芯片电阻器包括基板、两个正面电极、两个背面电极、电阻层、第一保护层、第二保护层、两个辅助电极层、两个真空镀膜层及两个电镀层。电阻层设置在所述基板的正上面，第一保护层在电阻层上面；第二保护层在所述第一保护层的上方；两个辅助电极层分别设置在两个所述正面电极上，两个所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层连接；每一真空镀膜层位于所述基板的侧面；两个电镀层分别设置在所述基板的两个侧面，及靠近侧面的正背面。该结构牢固密封性强，可以有效地避免在冷热冲击下，接口缝隙的形成；有效地抵挡高温，高湿及油煮等严苛条件下的硫化侵蚀，耐候性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 芯片 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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