[发明专利]贯穿硅触点结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010180781.2 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111261606B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;S-F·S·鞠 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 在TSC结构中，在衬底的第一主表面之上形成第一电介质层。所述衬底包括相对的第二主表面。在所述第一电介质层和所述衬底中形成TSC，使得所述TSC穿过所述第一电介质层并且延伸至所述衬底中。在所述第一电介质层之上形成与所述TSC电耦合的导电板。在衬底中形成隔离沟槽，以包围所述导电板并且与导电板隔开。在衬底的第二主表面上形成第二电介质层。在所述第二电介质层中形成延伸至所述衬底中并且连接至所述TSC的第一多个通孔。在所述第二电介质层中形成延伸至所述衬底中，但是不连接至所述TSC的第二多个通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 贯穿 触点 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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