[发明专利]一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法有效
| 申请号： | 202010165900.7 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111429956B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李正豪;杭国强;王珏;于浩;李焕 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/418;G06F7/575 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多模式可计算的SRAM单元电路及其控制方法。包括两个结构相同的逻辑子电路，包括由反向串联的MOSFET晶体管构成的两个反向器、两个存取管及两组计算和读取单元；两个反向器的MOSFET晶体管间引出连接到两个逻辑存储单元中节点；存取管的源极分别连接到接位B，存取管的漏极接到逻辑存储单元中节点，存取管的栅极接第三字线；两组计算和读取单元对称布置并接多条位线和字线。本发明实现了多模式的存储器内运算，在不使用大量外部计算电路的情况下，能够方便实现存储器内的加法等算术运算，较大的节省了芯片的面积，且计算并行执行，没有带宽的限制，提高了运算速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模式 可计算 sram 单元 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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