[发明专利]具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列有效
| 申请号： | 202010154518.6 | 申请日： | 2020-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111326632B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;杭升;李青;郑权;张勇辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学;东旭集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14;H01L27/15;H01L29/872 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro‑LED阵列。该器件包括衬底、芯片单元电极，以及阵列排布的MicroLED器件和具有梯形侧壁场板的SBD；所述的具有梯形侧壁场板的SBD，本征GaN缓冲层具体分为两层，下层厚度为全部本征GaN缓冲层厚度的40～60％，而上层分为两部分，一部分为矩形，另外一部分从外侧边缘向内条状凸起，凸起的横截面为梯形；梯形凸起的本征GaN缓冲层的外侧的两个梯形斜面上生长侧壁绝缘层，梯形凸起的上表面上覆盖有肖特基接触电极；具有梯形侧壁场板的SBD的数量为四个，位于阵列的四角。本发明大大提高了芯片利用效率和可靠性，减少芯片制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯形 侧壁 场板肖特基 二极管 ac micro led 阵列 | ||
【主权项】：
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