[发明专利]电化学沉积制备具有高密度纳米孪晶的铜针锥结构的方法有效
| 申请号： | 202010147526.8 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111321439B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 董梦雅;李明;杭弢 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D3/38;C25D7/12;C25D5/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电化学沉积制备具有高密度纳米孪晶的铜针锥结构的方法，涉及微纳米和电化学交叉技术领域；将导电性基材作为阴极置于含有络合剂和添加剂的硫酸盐体系镀铜液中，施加电流，使电结晶按垂直于表面的方向纵向生长，便可在所述导电性基材表面形成所述高密度纳米孪晶铜针锥结构。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉，适于工业化批量生产的含高密度纳米孪晶铜针锥结构的制备方法；此外，纳米孪晶铜具有优良的力学、电学性能，而具有三维针锥结构的纳米孪晶铜具有更广阔的的应用空间，可以为后续应用提供高强度、高抗电迁移性能的导电及支撑结构；既可以作为材料，又可以组成器件，从而为实现工业化生产和广泛应用的目的提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 沉积 制备 具有 高密度 纳米 铜针锥 结构 方法 | ||
【主权项】：
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