[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010143181.9 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111554782B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管，包括自支撑衬底层，以及所述自支撑衬底表面的n型半导体层、发光层、以及p型半导体层，所述发光层包括电子扩展层、超晶格有源区、和空穴增强层。上述结构能够提高在小电流密度下的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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