[发明专利]一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法

摘要

本发明提供一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法，包括以下步骤：步骤(1).将钴源与2‑甲基咪唑按照摩尔比1:8称量，将钴源与溶剂按1摩尔钴对应20毫升溶剂进行配比形成溶液A；将称量好的2‑甲基咪唑溶于同样体积的溶剂中形成溶液B；将B倒入A中，在室温下静置12‑24h；步骤(2).离心清洗后，真空干燥不少于12h，即获得前驱体；步骤(3).将上述前驱体同磷源按照摩尔比1:5称量，一起置于通保护气的管式炉中；步骤(4).使管式炉在气氛保护条件下按照升温曲线进行升温过程，再在300℃～500℃下反应2～5h，冷却至室温即得纳米片状磷化钴。本发明其结构稳定，排列有序，有利于后续合成加工；原料为钴的硝酸盐、氯化盐、或乙酸盐，原料价格低廉。