[发明专利]一种低导通电阻低压分离栅MOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010130114.3 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111162009B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张发备;陈勇;何林蓉;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低导通电阻低压分离栅MOS器件的制造方法，本发明通过对外延片的热扩散过程，将外延片衬底中的杂质扩散到外延层中，使外延层底部杂质变成线性或准线性的缓变分布，在保持外延层一定的耐压能力的同时，极大地降低了外延层的导通电阻。相比于传统方法，本发明有以下优点：第一，本发明所提出的制造方法制造的分离栅MOS器件拥有更低的导通电阻；第二，对于同一耐压等级，本方案可以采用比传统方法更大的外延层厚度，因而对外延厚度的控制要求更低，可以提高器件良率；第三，本发明对外延层杂质分布控制的要求更低，可以提高器件良率；第四，本发明所提出的制造方法制造的分离栅MOS器件性能受衬底反扩的影响更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 低压 分离 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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