[发明专利]一种用于生产碳化硅晶体的原料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202010129133.4 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111392728B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;许晓林;杨晓俐;李磊磊;高超;徐兴超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C04B35/565;C04B35/622;C30B23/00;C30B29/36;B01J20/02;B01J20/30;A61K47/04 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王振南 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于生产碳化硅晶体的原料及其制备方法与应用。所述原料为中空球状碳化硅粉料。所述方法通过水热法，利用有机碳源作为模板剂对碳化硅粉料进行优化，水热反应可以使碳化硅颗粒进一步细化，随后堆叠吸附在碳球模板上，从而减小粉料颗粒尺寸，通过形成中空纳米球状颗粒增大其比表面积，进而增大受热面积，保证粉体充分升华和升华的均匀性。本发明有利于提高生产碳化硅晶体中碳化硅合成粉料的利用率，提高碳化硅晶体的合成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生产 碳化硅 晶体 原料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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