[发明专利]一种窄带隙二维半导体化合物EuTe4、其制备方法及其应用

摘要

本公开提供了一种窄带隙二维半导体化合物EuTe4、其制备方法及其应用，兼具二维材料和窄带隙半导体材料的优点，可应用于光电探测器、热电材料、二维超晶格器件和相变电子学器件。窄带隙二维半导体化合物EuTe4，化学式为EuTe4，晶体结构属于正交晶系，空间群为Pmmn，晶胞参数为：α＝90°；β＝90°；γ＝90°。EuTe4为窄禁带半导体，光学带隙约为0.3eV，电阻随着温度降低而增大，具有典型的一阶相变特征；本公开中的具有二维材料和窄带隙半导体材料的优点，具有重要的应用和基础研究价值。