[发明专利]过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质有效
申请号: | 202010104683.0 | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111338180B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 夏国帅;张辰明;陈翰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/36;G06T7/62;G06T7/187 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质,检查方法将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象,其中,第一检查对象中的校正图形呈M×N分布;根据第一检查对象所在的区域和校正图形所在的区域,计算得到第二检查对象的若干个待检查区域,待检查区域与校正图形的区域邻接或相离;对第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查,判断是否有存在面积大于预设阈值的过曝图形。本发明提供的过曝图形漏报错的检查方法将桥接检查变成区域范围的面积检查,可以有效的检出过曝图形现象;能及时反馈OPC修正后的检查结果,使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序,使工艺窗口能够最大化。 | ||
搜索关键词: | 图形 漏报 检查 方法 计算机 设备 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010104683.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备