[发明专利]一种具有多孔结构的碳化硅材质散堆填料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010101091.3 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113277874A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杨振明;田冲;高勇;张劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及化工填料领域，具体为一种具有多孔结构的碳化硅材质散堆填料及其制备方法。散堆填料材质为碳化硅，结构为多孔。按质量百分比计，该填料的材料组成主要为碳化硅(70％～100％)、碳(0～15％)、硅(0～30％)、二氧化硅(0～10％)。该填料具有下列特点：1、具有比普通氧化物陶瓷填料更优良的耐腐蚀性能，可长期在硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸等腐蚀环境中工作；2、填料可以具有三维连通的孔隙结构，该孔隙可以为类正十四面体的泡沫状结构，也可为四边形或六边形等孔型；3、散堆碳化硅填料孔隙发达、比表面积大、密度小、精馏效率优于普通的陶瓷填料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多孔 结构 碳化硅 材质 填料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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