[发明专利]一种ESD保护结构、集成电路及电子设备有效
| 申请号： | 202010089396.7 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370401B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 夏瑞瑞;蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;高悦欣;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ESD保护结构、集成电路和电子设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一N阱区和第一P阱区；位于第一N阱区中的第一N+区、第一P+区、第二N+区和第二P+区；位于第一N阱区和第一P阱区连接处的第三N+区；位于第一P阱区中的第四N+区、第三P+区、第五N+区和第四P+区；第一电阻、第一电容、第一反相器和第二反相器。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的保护线路不周全和防护响应过慢的技术问题。提供了一种全面保护，响应迅速的ESD保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 保护 结构 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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