[发明专利]存储器结构在审
| 申请号： | 202010087780.3 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111554691A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 赖昇志;林仲德;陈永育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种存储器结构及其形成的方法。本公开的存储器结构包括一底部介质层、从该底部介质层垂直延伸的一栅极结构、一堆叠结构，以及延伸于该栅极结构与该堆叠结构之间的一介质层。该堆叠结构包括一第一硅化物层、一第二硅化物层、延伸于该第一硅化物层与该第二硅化物层之间的一氧化物层、覆盖该氧化物层与延伸于该第一与第二硅化物层之间的一通道区，以及覆盖该第二硅化物层的一隔离层。该第一与第二硅化物层包括钴、钛、钨、或钯。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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