[发明专利]多级铁电存储单元有效
| 申请号： | 202010086592.9 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111681692B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | J·弗鲁吉尔;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多级铁电存储单元。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及多级铁电存储单元及制造方法。该结构包括：第一金属化特征；锥形铁电电容器，其包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的铁电材料，第一电极接触第一金属化特征；以及第二金属化特征，其接触第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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