[发明专利]用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列及其制备方法在审
申请号: | 202010086318.1 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111282785A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 梁继然;张珂;樊雅婕;于立泽 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | B05D1/20 | 分类号: | B05D1/20;C04B41/50 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 琪琛 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于平面基底图形化的二氧化硅微球阵列及其制备方法,利用正丁醇包裹二氧化硅微米球,克服二氧化硅密度大于水溶液,从而防止其沉降,使其分布在液体表面,同时加热液面,利用分子间作用力将微球紧密排成均匀单层球膜;利用提拉镀膜机,在合适的提拉速率下可将其转移到基片表面完成自组装,实现平面基底图形化技术模板的制备。与表面活性剂辅助的方法相比,本发明节省了摸索改性工艺参数的时间,并且适用于多种微米尺寸的二氧化硅球;通过自组装二氧化硅微球阵列实现表面图形化技术模板,相比光刻法设备简单,成本低廉,且不存在边缘处因光刻胶涂布不匀影响图形完整的问题。 | ||
搜索关键词: | 用于 平面 基底 图形 二氧化硅 阵列 及其 制备 方法 | ||
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