[发明专利]集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法在审
| 申请号： | 202010070339.4 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112490220A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林杏莲;吴启明;金海光;江法伸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属(MIM)电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 金属 绝缘体 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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