[发明专利]集成多晶硅电阻及二极管的场效应充电式半导体启动器件有效
申请号: | 202010066926.6 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111244087B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 胡浩;朱斌;陈荣昕 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成多晶硅电阻及二极管的场效应管充电式半导体启动器件,包括场效应管、多晶硅电阻、电容、反馈控制模块和电子开关,其中,场效应管包括半导体衬底,位于衬底之上的轻掺杂外延层,以及位于轻掺杂外延层之内的元胞结构、终端结构和隔离结构。本发明半导体启动器件通过场效应管的栅极控制其通、断,仅需较小的驱动电流就能降低电阻功耗和发热量;并且电阻通过多晶硅二极管连接到启动电路的输入端,可有效防止场效应管由于输入电压的波动而误开启,造成不必要的功耗。当输出电压到达预设值后,反馈控制模块控制电子开关导通,使场效应管的栅极接地,场效应管关断,停止充电,只有很小的漏电电流,达到降低损耗、提高电源效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 集成 多晶 电阻 二极管 场效应 充电式 半导体 启动 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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