[发明专利]集成多晶硅电阻及二极管的场效应充电式半导体启动器件有效

专利信息
申请号: 202010066926.6 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111244087B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 胡浩;朱斌;陈荣昕 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种集成多晶硅电阻及二极管的场效应管充电式半导体启动器件,包括场效应管、多晶硅电阻、电容、反馈控制模块和电子开关,其中,场效应管包括半导体衬底,位于衬底之上的轻掺杂外延层,以及位于轻掺杂外延层之内的元胞结构、终端结构和隔离结构。本发明半导体启动器件通过场效应管的栅极控制其通、断,仅需较小的驱动电流就能降低电阻功耗和发热量;并且电阻通过多晶硅二极管连接到启动电路的输入端,可有效防止场效应管由于输入电压的波动而误开启,造成不必要的功耗。当输出电压到达预设值后,反馈控制模块控制电子开关导通,使场效应管的栅极接地,场效应管关断,停止充电,只有很小的漏电电流,达到降低损耗、提高电源效率的目的。
搜索关键词: 集成 多晶 电阻 二极管 场效应 充电式 半导体 启动 器件
【主权项】:
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