[发明专利]一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法

摘要

本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100‑x‑y‑h‑z‑u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。