[发明专利]CMOS器件的沟道区的应力调节结构及应力调节方法有效
| 申请号： | 202010054525.9 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111128894B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王盼盼;关天鹏;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS器件的沟道区的应力调节方法，包括步骤：步骤一、对半导体衬底进行弯曲。步骤二、在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，半导体衬底的弯曲结构对浅沟槽隔离结构产生第一应力作用。步骤三、将半导体衬底由弯曲结构恢复为拉平结构，浅沟槽隔离结构的第一应力释放并对形成于有源区中的沟道区形成第二应力，沟道区的第二应力被调节为能增加CMOS器件的载流子迁移率。步骤四、在所述有源区中形成所述CMOS器件。本发明还公开了一种CMOS器件的沟道区的应力调节结构。本发明能调节CMOS器件的沟道区的应力，提高沟道区的载流子的迁移率，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 沟道 应力 调节 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
