[发明专利]内存装置及其数据读取方法在审

专利信息
申请号: 202010047352.8 申请日: 2020-01-16
公开(公告)号: CN113129993A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 何文乔 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种内存装置及其数据读取方法。此方法包括:读取内存中的多个存储单元以获得读取数据,其中包括检测各存储单元的阈值电压,并将所检测的阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值,其中所述第一基准电压与第二基准电压用以区别存储单元的不同状态,且第二基准电压大于第一基准电压;逐步变更读取数据中阈值电压位于第一基准电压与第二基准电压之间的存储单元的位值,以计算变更后读取数据的校正子;以及根据校正子的数值校正读取数据。
搜索关键词: 内存 装置 及其 数据 读取 方法
【主权项】:
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