[发明专利]具有多晶硅层的晶圆的处理方法及其系统在审
| 申请号： | 202010016903.4 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113161223A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李善雄 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/67;B24B7/22;B24B27/00;B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B57/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 肖昀 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于处理具有多晶硅层的晶圆的方法。该晶圆装载在处理系统上。该处理系统包括研磨模块和连接研磨模块的清洁模块。研磨模块包括至少第一研磨盘和第二研磨盘。第一研磨盘和第二研磨盘中的每一个均包括用于研磨晶圆的研磨垫。将研磨浆施加到研磨模块的第一研磨盘上以进行多晶硅层的平坦化。在平坦化后，通过非离子表面活性剂溶液处理表面多晶硅层，使其表面性质改变为亲水性。在后CMP清洗工艺中，可以通过氟化氢溶液和SC1溶液轻松去除多晶硅层表面上的有机污染物，而无需额外的硫酸清洗工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多晶 处理 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
