[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模在审
申请号: | 201980073304.1 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN112997116A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 古沟透;福上典仁;渡边原太;成田英辅 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海涛;金小芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供具有良好的耐照射性,并且能够得到良好的转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)在基板(1)的一个面上依次形成有反射入射光的反射层(2)、以及吸收入射光的吸收层(4)。吸收层(4)至少在最表层中含有:从锡、铟、碲的组中选择的第1材料,以及由从过渡金属、铋、硅的组中选择的1种或2种以上的材料构成的第2材料。第2材料的含量在同一层内大于20原子%且小于50原子%。 | ||
搜索关键词: | 反射 型光掩模坯 以及 型光掩模 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社,未经凸版印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980073304.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-202280014185.4
- 合田步美;中野秀亮;市川显二郎;山形悠斗 - 凸版光掩模有限公司
- 2022-02-08 - 2023-10-10 - G03F1/24
- 提供微小图案相对于检查光的对比度高、并且能够将EUV曝光中的投影效应抑制到最小限度的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备基板(11)、反射部(17)、以及低反射部(18),低反射部(18)是具备吸收层(14)和最表层(15)的至少2层以上的层叠结构体,吸收层(14)相对于波长13.5nm的消光系数k为k>0.041,当将吸收层(14)的膜厚设为da、最表层(15)的膜厚设为dc时,低反射部(18)的膜厚是满足0.5×da+dc≤21.5nm的膜厚、或者满足0.5×da+dc≥27.5nm的膜厚。
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-202280014195.8
- 五来亮平;合田步美 - 凸版光掩模有限公司
- 2022-02-04 - 2023-09-29 - G03F1/24
- 提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备:基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(18),低反射部(18)是具备吸收层(14)和相移层(15)的至少2层以上的层叠结构体,在反射部(17)上依次层叠吸收层(14)和相移层(15),构成吸收层(14)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足消光系数k>0.04,构成相移层(15)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足折射率n<0.94、并且满足消光系数k<0.02。
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-202180089131.X
- 山形悠斗;合田步美;中野秀亮;市川显二郎 - 凸版光掩模有限公司
- 2021-12-27 - 2023-08-22 - G03F1/24
- 本发明提供抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应、并且封盖层与低反射部的层间密合性高的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(5)以及低反射部(4),反射部(5)具备多层反射膜(2)和封盖层(3),封盖层(3)含有Ru,低反射部(4)含有40at%以上的选自Ag、Co、In、Pt、Sn、Ni、Te、及它们的化合物中的材料,低反射部(4)的从封盖层(3)侧起厚度2nm的区域中含有25at%以上的属于第1材料组的材料,或者含有30at%以上的属于第2材料组的材料,低反射部(4)的合计膜厚为45nm以下。
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-201880042350.0
- 福上典仁;古沟透 - 凸版光掩模有限公司
- 2018-06-29 - 2023-07-21 - G03F1/24
- 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备:基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此,抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应,提高对半导体基板的转印性能,同时提高光吸收层的耐清洗性。
- 图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法-201880014080.2
- 段福·史蒂芬·苏;刘晶晶 - ASML荷兰有限公司
- 2018-02-20 - 2023-07-18 - G03F1/24
- 一种图案形成装置(100),包括:在图案形成装置基板(102)上的吸收体层(106);和在图案形成装置基板上的反射层或透射层(104),其中吸收体层和反射层或透射层一起限定具有主要特征(112)和与主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(110)的图案布局,其中:所述主要特征被配置成在将所述器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时,在所述图案形成材料的层中产生所述主要特征,和在将图案转印到图案形成材料的层时,衰减式亚分辨率辅助特征被配置成避免在图案形成材料的层中生成特征,并且产生与主要特征不同的辐射强度。
- 设定光刻掩模的图案元素的侧壁角度的方法和设备-202180046680.9
- D.里诺;J.韦尔特;M.鲍尔 - 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 2021-06-29 - 2023-04-21 - G03F1/24
- 本发明关于一种用于设定光刻掩模(150,200,700)的至少一个图案元素(120,220,230,250,260,280,290)的至少一个侧壁角度(170,670,1970,2470,2770,2780)的方法(2800),其包括以下步骤:(a)提供至少一个前驱气体;(b)提供至少一个大质量粒子束(910,1215,1515,1930,2120),其引起该至少一个前驱气体的局部化学反应;以及(c)在该局部化学反应期间改变该粒子束(910,1215,1515,1930,2120)的至少一个参数和/或一制程参数,以设定该至少一个图案元素(120,220,230,250,260,280,290)的至少一个侧壁角度(170,670,1970,2470,2770,2780)。
- 远紫外掩模吸收材料-202180032270.9
- 刘树围;维布什·金达尔 - 应用材料公司
- 2021-04-14 - 2022-12-16 - G03F1/24
- 公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外掩模坯料制造方法和生产系统。EUV掩模坯料包括基板;基板上的反射层的多层堆叠物;反射层的多层堆叠物上的覆盖层;和覆盖层上的吸收剂层,吸收剂层由碳和锑制成。
- 反射型掩模坯以及反射型掩模-202180032346.8
- 市川显二郎;合田步美;中野秀亮 - 凸版光掩模有限公司
- 2021-05-12 - 2022-12-16 - G03F1/24
- 提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案,从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有:基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构且反射EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上且保护多层反射膜(2)的封盖层(3)、以及形成在封盖层(3)上且吸收EUV光的吸收膜(4),吸收膜(4)包含50原子%以上的构成氧化锡(SnO)和氧化铟(InO)中的至少一者的元素,并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料。
- 反射型光掩模坯和反射型光掩模-202180029440.8
- 中野秀亮;合田步美;市川显二郎 - 凸版光掩模有限公司
- 2021-04-28 - 2022-12-06 - G03F1/24
- 本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯,具有:基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及在反射层(2)上形成的吸收层(4),吸收层(4)由含有合计为50原子%以上的铟(In)和氧(O)的材料形成,吸收层(4)中的氧(O)相对于铟(In)的原子数比(O/In)超过1.5,吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
- 极紫外掩模吸收体材料-202180025009.6
- 刘树围;刘世玉;阿泽丁·泽拉德;维布什·金达尔 - 应用材料公司
- 2021-03-24 - 2022-12-02 - G03F1/24
- 公开了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法和用于其的生产系统。EUV掩模坯料包含:基板;反射层的多层堆叠,在基板上;覆盖层,在反射层的多层堆叠上;及吸收体,在覆盖层上。吸收体包含第一层及第二层,第一层选自由以下所组成的群组:Mo、Nb、V、Mo、Nb和V的合金、Mo的氧化物、Nb的氧化物、V的氧化物、Mo的氮化物、Nb的氮化物和V的氮化物,第二层选自由以下所组成的群组:TaSb、CSb、SbN、TaNi、TaCu和TaRu。
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-202180029533.0
- 合田步美;山形悠斗;中野秀亮;市川显二郎 - 凸版光掩模有限公司
- 2021-04-28 - 2022-12-02 - G03F1/24
- 本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8),低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成,吸收层(4)包含合计为50原子%以上的选自第1材料群中的1种以上,最表层(5)包含合计为80原子%以上的选自第2材料群中的至少1种以上,第1材料群为铟、锡、碲、钴、镍、铂、银、铜、锌及铋、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物,第2材料群为钽、铝、钌、钼、锆、钛、锌及钒、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物。
- 图案形成装置-201780032851.6
- G·F·J·沙斯富特;P·德格罗特;M·Y·斯德拉科夫;M·P·J·M·迪克斯;J·M·芬德尔斯;彼得-詹·范兹沃勒;J·J·M·巴塞曼斯;S·鲍默;L·C·德温特;W·J·恩格伦;M·A·范德柯克霍夫;R·J·伍德 - ASML荷兰有限公司
- 2017-05-30 - 2022-11-15 - G03F1/24
- 一种图案形成装置,包括反射式标识,其中所述标识包括:多个反射区域,被配置为优先反射具有给定波长的辐射;多个吸收区域,被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射;其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束,其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面,所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射,以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
- 极紫外掩模坯料硬掩模材料-202180011137.5
- 刘树围;肖文;维布什·金达尔;阿泽丁·泽拉德 - 应用材料公司
- 2021-01-26 - 2022-09-13 - G03F1/24
- 揭示了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包含:基板;反射层的多层堆叠,位于基板上;覆盖层,位于反射层的多层堆叠上;吸收体层,位于覆盖层上,所述吸收体层包含含锑材料;以及硬掩模层,位于吸收体层上,所述硬掩模层包含选自由CrO、CrON、TaNi、TaRu及TaCu所组成的群组的硬掩模材料。
- 反射型光掩模坯和反射型光掩模-202080082067.8
- 中野秀亮;合田步美;市川显二郎 - 凸版光掩模有限公司
- 2020-11-25 - 2022-08-19 - G03F1/24
- 本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯,具有:基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层(4),吸收层(4)由含有合计为50原子%以上的锡(Sn)和氧(O)的材料形成,吸收层(4)中的氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过2.0,吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
- 用于制造隔膜组件的方法-201680081498.6
- 彼得-詹·范兹沃勒;D·德格拉夫;保罗·詹森;玛丽亚·皮特;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森 - ASML荷兰有限公司
- 2016-12-02 - 2022-08-19 - G03F1/24
- 一种用于EUV光刻术的隔膜,所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层,所述叠层包括:至少一个硅层;和至少一个硅化合物层,由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。
- 用于EUV光刻术的隔膜-201780025510.6
- M·A·纳萨莱维奇;E·A·阿贝格;N·班纳吉;M·A·布劳;德克·S·G·布龙;保罗·詹森;M·可鲁依宁嘉;E·兰德林克;N·马克西姆;A·尼基帕罗夫;A·W·诺滕博姆;C·彼烈戈;M·彼得;G·里斯朋斯;N·舒;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·W·弗尔堡;J·P·M·B·沃缪伦;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森;A·N·兹德拉夫科夫 - ASML荷兰有限公司
- 2017-04-12 - 2022-06-03 - G03F1/24
- 公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中,隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层:第一覆盖层,包括第一金属的氧化物;包括化合物的基层,所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素;和第二覆盖层,包括第三金属的氧化物,其中第一金属与第二金属不同,第三金属与第一金属相同或不同。
- 反射型光掩模坯和反射型光掩模-202080039794.6
- 合田步美;福上典仁 - 凸版印刷株式会社
- 2020-05-28 - 2022-01-07 - G03F1/24
- 提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备:基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet:极端紫外线,波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
- 具有含非反射区的反射层的光掩模-201980083479.0
- 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 - 阿斯特鲁公司;苏普瑞亚·杰斯瓦尔
- 2019-10-17 - 2021-08-24 - G03F1/24
- 本发明提供了适于极紫外线(EUV)与X射线微影术的包括反射性多层内的非反射区的掩模。此非反射区替代了用于为集成电路提供图案的典型吸收体层。本发明描述了用于在紫外线(UV)、极紫外线(EUV)、和/或软X射线波长下操作的装置与系统中使用的新类型材料与关联组件。本发明涉及EUV光掩模架构,其包含消除对吸收体层的需要、掩模上的阴影效应、3D衍射效应、和缺陷管理的反射区与非反射区。此类材料结构与组合可用于制作组件,例如镜子、透镜、或其他光学组件、面板、光源、光掩模、光阻剂,或用于诸如微影术、晶圆图案化、天文与太空应用、生物医学应用、或其他应用之类的其他组件。
- 反射型光掩模坯以及反射型光掩模-201980073304.1
- 古沟透;福上典仁;渡边原太;成田英辅 - 凸版印刷株式会社
- 2019-11-01 - 2021-06-18 - G03F1/24
- 本发明提供具有良好的耐照射性,并且能够得到良好的转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)在基板(1)的一个面上依次形成有反射入射光的反射层(2)、以及吸收入射光的吸收层(4)。吸收层(4)至少在最表层中含有:从锡、铟、碲的组中选择的第1材料,以及由从过渡金属、铋、硅的组中选择的1种或2种以上的材料构成的第2材料。第2材料的含量在同一层内大于20原子%且小于50原子%。
- 用于平板显示器光掩模的防护膜-201980072452.1
- 布赖恩·S·卡斯普罗维奇;克里斯托弗·普拉葛 - 美商福昌公司
- 2019-09-12 - 2021-06-15 - G03F1/24
- 一种用于大型光掩模的防护膜组件,包括:框架构件,其被构造成被固定至大型光掩模基板;基本上刚性且透明的防护膜,其被固定至所述框架构件,以保护至少一部分所述大型光掩模基板在使用、存储和/或运输过程中免受污染;以及涂层,其设置在所述防护膜的顶表面和底表面的至少一者上,其结合所述防护膜的所述顶表面和所述底表面的至少一者,以防止在破裂的情况下所述防护膜材料的分离。
- 图案化过程的优化流程-201880066747.3
- 段福·史蒂芬·苏 - ASML荷兰有限公司
- 2018-10-05 - 2020-05-29 - G03F1/24
- 一种用于改善光刻过程的方法,所述光刻过程用于使用具有照射系统和投影光学装置的光刻投影设备将图案形成装置图案的一部分成像至衬底上,所述方法包括:(1)获得对由所述投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型,其中所述模拟模型模型化所述投影光学装置中的遮蔽的效应;和基于所述模拟模型,对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置,和/或(2)获得对由投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型,其中所述模拟模型模型化由所述投影光学装置产生的辐射的变形缩小率,和在考虑变形制造规则或变形制造规则比率的情况下,基于所述模拟模型对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置。
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备