[发明专利]太阳能单电池、太阳能电池组件和太阳能单电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980036827.9 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN112219284A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 入川淳平;今田直人;西脇毅;桥本治寿;中村优也 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/0747
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的太阳能单电池包括第1导电型的晶体硅基片和第2导电型的第1半导体层,所述第1半导体层形成于晶体硅基片的第1主面侧。晶体硅基片的沿厚度方向延伸的侧面包括算术平均粗糙度在厚度方向上不同的侧面部,在侧面部的附近具有第1主面侧的薄片电阻较高的高电阻区域,在从侧面部至第1主面的中心之间的区域包括以高电阻区域为起点随着从侧面部远离一个方向,第1主面侧的薄片电阻单调减小的一个方向。
搜索关键词: 太阳能 电池 太阳能电池 组件 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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