[实用新型]一种半导体元器件金蚀刻装置有效
| 申请号： | 201920783582.3 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN210262010U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杜良辉;孙国标;凌永康 | 申请（专利权）人： | 江苏壹度科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及机械技术领域，具体为一种半导体元器件金蚀刻装置，包括箱体，箱体的顶壁上设有输液管，输液管上安装有若干个喷头，箱体的底壁上紧密焊接有工作台，工作台上设有若干个电机，电机的上方设有隔板，隔板的隔板上设有若干个漏液孔，位于隔板的中心位置处设有通孔，通孔内设有转盘。该半导体元器件金蚀刻装置，将待蚀刻的半导体材料放置在转盘上，蚀刻溶液通过喷头喷出，电机带动转盘在隔板上的通孔内转动，使得喷出的蚀刻溶液均匀洒在转盘上的半导体材料上，多余的蚀刻溶液通过隔板上的漏液孔流入工作台上，并通过排液管流出箱体进行回收，解决半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元器件 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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