[实用新型]ORing FET电路、电源、多路输出电源及用电设备有效
| 申请号： | 201920717563.0 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN209881755U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘志勇;王鹏程;周明;卜军力;范立彬;许柳柳;孙会宾 | 申请（专利权）人： | 石家庄高能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/0812;H03K17/0814;H03K17/687 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050000 河北省石家庄市新石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请适用于电路技术领域，提供了一种ORing FET电路、电源、多路输出电源及用电设备，其中，上述ORing FET电路包括：电流采样电阻、ORing控制器和第一场效应管；电流采样电阻的正向端与ORing控制器的输入管脚连接；ORing控制器的输出管脚与第一场效应管的漏极连接。由于ORing控制器的输入管脚与输出管脚采集电流采样电阻和第一场效应管串联的电压，相当于变相增大了场效应管的内阻，避免第一场效应管在轻载时由于驱动电压过低而无法正常启动或出现交替开关的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 控制器 电流采样电阻 场效应管 输出管脚 输入管脚 电路 场效应管串联 电路技术领域 多路输出电源 交替开关 驱动电压 用电设备 正常启动 效应管 正向端 漏极 内阻 轻载 电源 采集 申请 | ||
【主权项】：
1.一种ORing FET电路，其特征在于，包括：电流采样电阻、ORing控制器，以及第一场效应管；/n所述电流采样电阻的正向端与所述ORing控制器的输入管脚连接；所述电流采样电阻的正向端还用于采集受所述ORing FET电路控制的电源的高压输出信号；/n所述电流采样电阻的反向端与所述第一场效应管的源极连接；/n所述ORing控制器的输出管脚与所述第一场效应管的漏极连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于石家庄高能电子科技有限公司，未经石家庄高能电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920717563.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种接近开关-201921345683.9
- 周松明;徐顺荣;覃始成 - 广东东崎电气有限公司
- 2019-08-19 - 2020-02-14 - H03K17/08
- 本实用新型公开了一种接近开关，包括：稳压电路、振荡电路、温度补偿电路、反向电压脉冲吸收电路和过热保护电路；稳压电路一端与输入端口相连，另一端分别与振荡电路和温度补偿电路相连，振荡电路与温度补偿电路相连，温度补偿电路通过三极管Q5分别与反向电压脉冲吸收电路和过热保护电路相连，过热保护电路与输出端口相连。本实用新型电路稳定，能够产生可靠的检测信号，测量精度高。
- 半导体装置-201910455385.3
- 佐佐木雅浩 - 富士电机株式会社
- 2019-05-29 - 2020-01-31 - H03K17/08
- 本发明提供一种半导体装置，能够在过渡时，没有短路电流的检测延迟，并抑制向感测IGBT的电流集中。IGBT(10)在主IGBT(11)的栅极端子和发射极端子设置将分压电阻器(Rdiv1、Rdiv2)串联连接而构成的分压电路，将两个分压电阻器的连接点连接到感测IGBT(12)的栅极端子。分压电路对施加到主IGBT的栅极端子的电压进行分压以使得在施加到主IGBT的栅极端子的电压与主IGBT的阈值电压相等时，成为感测IGBT的阈值电压。如果IGBT(10)的栅极端子(G)被施加使其导通的栅极信号，则主IGBT和感测IGBT的电流同时上升，由此没有短路电流的检测延迟，向感测IGBT的电流集中受到抑制。
- 一种射频开关电路结构-201910871710.4
- 张志浩;钟立平;李嘉进;蓝焕青;章国豪 - 广东工业大学
- 2019-09-16 - 2020-01-21 - H03K17/08
- 本发明公开了一种射频开关电路结构，其特征在于，包括N个堆叠的晶体管，第一个晶体管的漏极作为射频输入端，最后一个晶体管的源极作为射频输出端；当晶体管存在体区时，最后一个晶体管的体区通过体公共电阻连接体偏置电压。每相邻的两个晶体管中，前一个晶体管的源极与后一个晶体管的漏极相连，前一个晶体管的栅极通过栅电阻连接后一个晶体管的栅极，且每个晶体管的漏极和源极之间均连接有漏源电阻。本发明通过改变栅偏置电阻和体偏置电阻的拓扑结构有效地改善大电压摆幅在各个堆叠的晶体管上的不均匀分布，一方面可以提高开关的功率处理能力和线性度，另一方面可以有效防止堆叠链上靠前的晶体管率先出现高电压击穿现象，提高开关的可靠性。
- 电力用半导体元件的驱动电路以及电动机驱动装置-201780016135.9
- 竹泽龙一;小西惠介 - 三菱电机株式会社
- 2017-03-30 - 2020-01-21 - H03K17/08
- 电力用半导体元件的驱动电路(100)具有：电力用半导体元件(F1)；栅极驱动绝缘电源(1)，其用于对电力用半导体元件(F1)的栅极(G)进行驱动；防止电压上升用二极管(D3)，其阳极与电力用半导体元件(F1)的栅极(G)连接；正向偏置电源用齐纳二极管(ZD1)，其阴极与防止电压上升用二极管(D3)的阴极连接，阳极与电力用半导体元件(F1)的发射极(E)连接；以及电压调整二极管(D
- 用于控制结型场效应晶体管的电路布置和方法-201580010154.1
- A.梅尔康扬 - 西门子公司
- 2015-02-25 - 2020-01-21 - H03K17/08
- 本发明描述了一种用于控制结型场效应晶体管(10)的电路布置，结型场效应晶体管包括控制接头(G)以及第一主接头(D)和第二主接头(S)，在其之间形成沟道。所述电路布置包括：用于产生控制信号的单元(21,22,24,25,26,27,28)，通过控制信号将结型场效应晶体管(10)在第一开关状态(导通)和第二开关状态(关断)之间交替地来回切换。所述电路布置包括：用于进行电流评价的单元(23)，其连接在控制接头(G)和第二主接头(S)之间。用于进行电流评价的单元(23)被构造用于，当或者一旦在从第一开关状态(导通)过渡到第二开关状态(关断)的情况下用于产生控制信号的单元(21,22,24,25,26,27,28)将在控制接头(G)和第二主接头(S)之间施加的电压(V
- 一种组合开关-201910867819.0
- 徐明;孙宝翔;朱经鹏;孙巨禄 - 南京博兰得电子科技有限公司
- 2019-09-15 - 2020-01-14 - H03K17/08
- 本发明公开了一种组合开关。组合开关，包括第一个开关和第二个开关以及一第一电容，所述第一个开关和所述第二个开关同向串联，所述第二个开关的第二端为所述组合开关的第二输出端，所述第二个开关的第一端与所述第一个开关的第二端串联，所述第一个开关的第一端为所述组合开关的第一输出端，所述第一电容并联在所述第二个开关的驱动控制端与所述第一个开关的第一端，所述第一个开关和所述第二个开关为可控开关。本发明的组合开关为可控组合开关，为所述第一个开关的门极驱动端提供驱动信号即可控制所述组合开关的开通和关断。
- 冲击电流抑制电路及其抑制冲击电流的方法-201911067602.8
- 李貌;马少军 - 科博达技术股份有限公司
- 2019-11-04 - 2020-01-10 - H03K17/08
- 一种冲击电流抑制电路，包括第一开关、预充电支路、第三开关以及控制装置。第一开关连接在输入电压与母线电容之间；预充电支路与第一开关并联连接，预充电支路包括串联连接的第二开关和电阻；第三开关连接在所述母线电容与负载之间，负载与母线电容并联连接。控制装置的输出端分别与第一开关、第二开关和第三开关的控制端连接。本发明还公开了冲击电流抑制电路抑制冲击电流的方法。本发明能够有效抑制开关导通时所产生的冲击电流，通用性好，成本低。
- 输入保护电路、电子器件、电子设备以及移动体-201410374236.1
- 矢岛秀彦;小平觉 - 精工爱普生株式会社
- 2014-07-31 - 2020-01-10 - H03K17/08
- 输入保护电路、电子器件、电子设备以及移动体，可进行输入电路的保护并且能够使输入电路的动作稳定化。输入保护电路(1)将向输入电路(10)输入的信号的电压变换为规定的电压以下而输出，包含：第1 NMOS晶体管(M1)，其具有被输入输入信号的源极、被施加基于第1电压(V1)的电压的栅极和根据输入信号以及栅极电压向输入电路(10)输出信号的漏极；第2 NMOS晶体管(M2)，其具有被施加基于第1电压(V1)的电压的源极以及栅极和向输入电路(10)输出第2电压的漏极。
- ORing FET电路、电源、多路输出电源及用电设备-201920717563.0
- 刘志勇;王鹏程;周明;卜军力;范立彬;许柳柳;孙会宾 - 石家庄高能电子科技有限公司
- 2019-05-17 - 2019-12-31 - H03K17/08
- 本申请适用于电路技术领域，提供了一种ORing FET电路、电源、多路输出电源及用电设备，其中，上述ORing FET电路包括：电流采样电阻、ORing控制器和第一场效应管；电流采样电阻的正向端与ORing控制器的输入管脚连接；ORing控制器的输出管脚与第一场效应管的漏极连接。由于ORing控制器的输入管脚与输出管脚采集电流采样电阻和第一场效应管串联的电压，相当于变相增大了场效应管的内阻，避免第一场效应管在轻载时由于驱动电压过低而无法正常启动或出现交替开关的现象。
- 一种基于D-pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路-201810618652.X
- 郑新年 - 锐迪科微电子(上海)有限公司
- 2018-06-15 - 2019-12-24 - H03K17/08
- 本申请公开了一种基于D‑pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路。所述射频开关为单刀N掷开关，N为自然数，具有一个公共端口和N个分支端口。每个分支端口和公共端口之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件构成串联通路。每个分支端口和地之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件以及隔直电容构成对地通路。隔直电容的一端接地，另一端为X节点。所述ESD保护电路是连接到X节点的二极管组。所述二极管组包括并联的一条二极管正向级联支路和一条二极管反向级联支路。二极管正向级联支路是由多个级联的二极管正向连接到地；二极管反向级联支路仅由一个二极管反向连接到地。本申请可大幅减少ESD保护电路中的器件，还可避免ESD保护电路中的器件寄生参数对射频开关的性能产生不利影响。
- 具有过压保护的开关电路-201920767854.0
- 倪元敏 - 重庆工业职业技术学院
- 2019-05-27 - 2019-12-13 - H03K17/08
- 一种具有过压保护的开关电路，包括缓冲开关电路以及过压保护控制电路；所述过压保护控制电路在输入电压过压时控制缓冲开关电路关断；所述缓冲开关电路包括PMOS管开关电路和PMOS管控制电路；所述PMOS管控制电路的控制输出端与PMOS管开关电路的控制输入端连接；所述PMOS管控制电路的第一控制输入端用于接收外部控制信号，所述PMOS管控制电路的第二控制输入端用于接收外部控制信号以及过压保护控制电路输出的控制信号；能够在上电时对PMOS管进行良好的防冲击保护，而且在PMOS管关断时能够有效降低PMOS管的关断损耗，从而改善PMOS管的开关环境，提高整个开关电路的可靠性；而且还能够根据输入电压的变化进行过压保护，从而确保整个开关电路的使用安全性以及稳定性。
- 一种金属封装型MOS管过流保护装置-201920470040.0
- 曹爱美;郭薛健;谢凯凯;胡婷 - 深圳市豪林电子有限公司
- 2019-04-09 - 2019-12-10 - H03K17/08
- 本实用新型公开了一种过流保护装置，涉及金属封装型MOS管过流保护装置技术领域，为解决现有的过流保护装置的外壳保护强度弱，导致过流保护装置的使用寿命缩短的问题。所述过流保护器外壳的四角设置有固定块，且四个固定块关于过流保护器外壳的垂直中心线相对称，所述过流保护器外壳的下方设置有第一金属插片、第二金属插片和第三金属插片，所述第二金属插片的一侧设置有第一金属插片，所述过流保护器外壳的外侧设置有保护层，所述过流保护器外壳的内部设置金属片，所述第二金属插片一端的上方设置有第一接触头，所述金属片的一侧设置有第二接触头，所述金属片的一端设置有弯钩，所述弯钩上端的一侧设置有运动片。
- 功率半导体开关器件驱动电源电路装置及其启动方法-201910800405.6
- 郑立楷 - 深圳市法拉第电驱动有限公司
- 2019-08-28 - 2019-12-06 - H03K17/08
- 本发明实施例公开了一种功率半导体开关器件驱动电源电路装置及其启动方法，所述电源电路装置包括PWM产生及控制电路、DC电源、驱动电路、供电控制电路、斩波电路及整流电路，DC电源与供电控制电路电连接，PWM产生及控制电路与斩波电路电连接，斩波电路与整流电路对应设置，驱动电路与整流电路电连接，供电控制电路与斩波电路、PWM产生及控制电路电连接，供电控制电路通过控制给斩波电路和斩波控制的PWM产生及控制电路的供电时间差来实现电源电路的软起。本发明逻辑简单，易于实现；此外，摆脱了必须使用专用高成本电源管理芯片的情况，一方面可以大大降低成本，减少供货问题造成的损失，有显著的经济效益，同时让电路的设计变的更加灵活。
- 专利分类
