[实用新型]一种DDR3内存的电源电路有效
| 申请号： | 201920287500.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN209312441U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 徐朝阳;徐茜 | 申请（专利权）人： | 深圳市智仁科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555 | 代理人： | 代春兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种DDR3内存的电源电路，包括电源模块、第一NMOS管QP701、第二NMOS管QP702、电感LP702、外接电源、电感LP701、电阻RP709、电阻RP712以及反馈电路，其中，所述电源模块具有上门控制端、下门控制端以及反馈端。本实用新型通过设置第一NMOS管QP701、第二NMOS管QP702以及反馈电路，可以获取适用于DDR3内存的电源，通用性好，而且电压稳定，保证了DDR3内存的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 本实用新型 电源电路 电源模块 反馈电路 控制端 电阻 电压稳定 外接电源 反馈端 下门 电源 保证 | ||
【主权项】：
1.一种DDR3内存的电源电路，其特征在于，其包括电源模块、第一NMOS管QP701、第二NMOS管QP702、电感LP702、外接电源、电感LP701、电阻RP709、电阻RP712以及反馈电路，其中，所述电源模块具有上门控制端、下门控制端以及反馈端，所述第一NMOS管QP701的漏极通过电感LP701连接至外接电源，所述第一NMOS管QP701的栅极通过电阻RP709连接至所述上门控制端，所述第一NMOS管QP701的源极通过电感LP702连接至电源输出端，所述电源输出端为DDR3内存供电；所述第二NMOS管QP702的漏极也通过电感LP702连接至电源输出端，所述第二NMOS管QP702的栅极通过电阻RP712连接至所述下门控制端，所述第二NMOS管QP702的源极接地；所述反馈电路的输入端连接至所述电感LP702和电源输出端之间，所述反馈电路的输出端连接至反馈端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市智仁科技有限公司，未经深圳市智仁科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920287500.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
