[实用新型]一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路有效

专利信息
申请号: 201920182208.8 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN209803204U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 黄俭;高存旗;刘杰 申请(专利权)人: 深圳芯能半导体技术有限公司
主分类号: G01R1/36 分类号: G01R1/36;G01R19/10;G01R31/26
代理公司: 44325 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 代理人: 黄章辉
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路,包括待测IGBT,待测IGBT的栅极输入饱和电压,待测IGBT的漏极接地,还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元;电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端,电流镜单元的电源端输入第一电流,电流镜单元的控制端输入执行信号;充放电单元具有充电端、放电端以及接地端,充放电单元的充电端输入充电电流;限流保护单元具有控制端、输入端以及输出端,限流保护单元的控制端耦接于电流镜单元的输出端,限流保护单元的输入端耦接于充放电单元的放电端,限流保护单元的输出端耦接于待测IGBT的源极,达到可以将示波器挂在IGBT元件的集电极‑发射极之间测电压。
搜索关键词: 限流保护单元 电流镜单元 充放电单元 控制端 输出端 耦接 饱和电压 充电端 电源端 放电端 输入端 本实用新型 测量电路 充电电流 高压IGBT 输入执行 栅极输入 接地 发射极 集电极 接地端 示波器 漏极 源极
【主权项】:
1.一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路,其特征在于,包括待测IGBT,所述待测IGBT的栅极输入饱和电压,所述待测IGBT的漏极接地,还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元;/n所述电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端,所述电流镜单元的电源端输入第一电流,所述电流镜单元的控制端输入执行信号;/n所述充放电单元具有充电端、放电端以及接地端,所述充放电单元的充电端输入充电电流;/n所述限流保护单元具有控制端、输入端以及输出端,所述限流保护单元的控制端耦接于所述电流镜单元的输出端,所述限流保护单元的输入端耦接于所述充放电单元的放电端,所述限流保护单元的输出端耦接于所述待测IGBT的源极;所述电流镜单元用于:所述电流镜单元的控制端若输入执行信号,则输出第二电流到所述限流保护单元和输出控制信号到所述充放电单元的放电端;/n所述充放电单元用于:所述充放电单元的放电端若接收所述控制信号,则输出放电电流到所述限流保护单元;/n所述限流保护单元用于:所述限流保护单元同时接收所述放电电流和所述第二电流时,所述限流保护单元输出检测电流。/n
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