[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911414935.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111180451B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘沙沙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构；以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括功能层、沟道层以及填充层；位于沟道柱下方的外延层，并与沟道层接触；功能层包括栅氧化层、电荷存储层以及隧穿氧化层；位于沟道柱顶部的电荷存储层上方的氧化层；位于沟道柱顶部的插塞结构，插塞结构完全覆盖沟道柱；其中，沟道柱顶部的电荷存储层由氧化层与插塞结构隔离。本发明实施例在沟道柱的顶部的电荷存储层与其上方的插塞结构隔离，从而使得电荷存储层与沟道层在沟道柱的顶部隔离，避免电荷存储层上的电荷通过插塞结构泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的顶部选择栅极的阈值电压的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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