[发明专利]一种射频前端芯片结构有效
| 申请号： | 201911397251.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111224688B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨琦;刘帅;白银超;要志宏;王磊;李丰;王凯;崔亮;郭丰强;王海龙;杨楠;陈南庭;杜晨浩;刘星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04B1/401;H04B1/44;H04B1/04;H04B1/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 前端 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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