[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审

专利信息
申请号: 201911386643.3 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN113495424A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 陈术 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,提供参考版图,所述参考版图包括若干参考图形;根据所述参考版图获取图形修正数据库;提供待修正版图,所述待修正版图包括若干待修正图形;对所述待修正版图进行分类,获取每个所述待修正图形的第一分类数据;根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比,获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中,对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低,因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理,通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间,进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。
搜索关键词: 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法
【主权项】:
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