[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审
申请号: | 201911386643.3 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN113495424A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈术 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,提供参考版图,所述参考版图包括若干参考图形;根据所述参考版图获取图形修正数据库;提供待修正版图,所述待修正版图包括若干待修正图形;对所述待修正版图进行分类,获取每个所述待修正图形的第一分类数据;根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比,获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中,对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低,因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理,通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间,进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备