[发明专利]高性能状态存储单元的实现方法在审
| 申请号： | 201911345674.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111243638A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;董小英;乔劲轩 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能存储单元的实现方法，高性能状态存储单元的实现方法，所述高性能状态存储单元可存储两个以上的稳定状态或两个以上的非稳定状态；在写入某一稳定状态至所述存储单元之前，设置所述存储单位为一个或多个非稳定状态，从而提高写入所述稳定状态至所述存储单元的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 状态 存储 单元 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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