[发明专利]锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法在审
| 申请号： | 201911284061.4 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110927553A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张晋新;郭红霞;郭旗;付军;王玉东;吴宪祥;王辉;孙静 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法。包括：对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；对多个待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；选择第一和第二剂量率分别对设定于不同偏置电压的第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组进行n次 |
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| 搜索关键词： | 锗硅异质结 双极晶体管 剂量 效应 缺陷 分布 实验 分析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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