[发明专利]一种宽摆幅单位增益电压缓冲器在审
| 申请号： | 201911210864.5 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110798163A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 白春风;殷琪浩;乔东海 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H03G3/30 | 分类号： | H03G3/30;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 32251 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽摆幅单位增益电压缓冲器，当输入(输出)电压较低时，第五NMOS管N5进入线性区，第五NMOS管N5的栅极电压显著升高，只要第五NMOS管N5的栅极电压没有上升到VDD‑2Vdsat，第四NMOS管N4就能维持恒定偏置电流，进而第四NMOS管N4的源极电压能够跟随其栅极电压。此时OTA的输出级的第三NMOS管N3能够充分工作在饱和区，因而OTA能够维持高电压增益，同时由于OTA和源极跟随器都在闭环回路中，充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，即便输入电压非常靠近地，也能够精确的实现电压缓冲，因此，本发明的单位增益电压缓冲器具有宽输入范围的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电压 电压缓冲器 单位增益 输入电压 缓冲器 源极跟随器 闭环回路 电压缓冲 环路增益 近似相等 偏置电流 输出电压 维持恒定 源极电压 饱和区 高电压 输出级 线性区 摆幅 升高 输出 保证 | ||
【主权项】：
1.一种宽摆幅单位增益电压缓冲器，其特征在于，包括运算跨导放大器和源极跟随器；/n所述运算跨导放大器采用PMOS管折叠共源共栅输入型运算跨导放大器，其包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、电阻R、电容C和电压源VDD；所述源极跟随器包括第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第八NMOS管N8；/n所述第一PMOS管P1的栅极连接到电压输入端，所述第一PMOS管P1的源极分别连接到第二PMOS管P2的源极、第三PMOS管P3的漏极，所述第一PMOS管P1的漏极分别连接到第二NMOS管N2的源极、第七NMOS管N7的漏极；所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的源极、第六NMOS管N6的漏极；所述第四PMOS管P4的漏极连接到第六PMOS管P6的源极，所述第四PMOS管P4的栅极分别连接到第五PMOS管P5的栅极、第六PMOS管P6的漏极、第一NMOS管N1的漏极；所述第五PMOS管P5的漏极连接到第七PMOS管P7的源极，所述第七PMOS管P7的漏极分别连接到第二NMOS管N2的漏极、第三NMOS管N3的栅极、电阻R的一端，所述电阻R的另一端连接电容C的一端，所述电容C的另一端连接第八PMOS管P8的漏极、第三NMOS管N3的漏极、第四NMOS管N4的栅极；所述第九PMOS管P9的漏极分别连接到第十PMOS管P10的源极、第四NMOS管N4的漏极，所述第十PMOS管P10的漏极连接到第五NMOS管N5的栅极、第八NMOS管N8的漏极；/n同时所述第三PMOS管P3的栅极、所述第八PMOS管P8的栅极、所述第九PMOS管P9的栅极连接第一偏置电压Vbias 1，所述第六PMOS管P6的栅极、所述第七PMOS管P7的栅极、所述第十PMOS管P10的栅极连接第二偏置电压Vbias2，所述第一NMOS管N1的栅极、所述第二NMOS管N2的栅极连接第三偏置电压Vbias3，所述第六NMOS管N6的栅极、第七NMOS管N7的栅极、第八NMOS管N8的栅极连接第四偏置电压Vbias4；所述第二PMOS管P2的栅极、所述第四NMOS管N4的源极、所述第五NMOS管N5的漏极连接到电压输出端。/n
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