[发明专利]一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法有效
| 申请号： | 201911192741.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110850688B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;庄池杰;马昕雨;沈瞿欢;王华磊;吴长春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;天通瑞宏科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人： | 王程远 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 薄膜 表面 制作 光学 图形 方法 | ||
【主权项】：
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