[发明专利]一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法在审
| 申请号： | 201911183818.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110907791A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;李运甲;孙晓华;朱郑允;郭清;刘晔 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，首先确定合适大小的重复浪涌电流，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验，对同型号的SiC MOSFET分立器件二的体二极管进行高温下重复浪涌电流功率循环试验，当SiC MOSFET分立器件一与器件二的体二极管老化到一定程度时，测量SiC MOSFET分立器件一、器件二的体二极管的静态特性(正向IV特性)以及动态特性(反向恢复电流波形)的退化，高温下重复浪涌电流功率循环克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，功率循环期间无持续的热量积累，对封装的特性无影响，可在高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加速 sic mosfet 二极管 退化 功率 循环 方法 | ||
【主权项】：
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