[发明专利]一种SOI硅光栅的制作方法有效
| 申请号： | 201911161749.3 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110941046B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;唐波;李志华;李彬;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种SOI硅光栅的制作方法，包括：在SOI衬底上形成硅光栅；对所述硅光栅进行氢气退火处理，退火温度为800℃～975℃，采用该退火温度为800℃～975℃的氢气退火方式能够显著改善硅光栅侧壁的粗糙度，进而降低该硅光栅的耦合损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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